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                三星、SK海力士祭?出EUV,掀新世代DRAM决战

                存储?卡工厂三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)双?双投入极紫外光(EUV)技术的DRAM制程研发,欲在存储器市场取得更大领先。日前三星电子宣布已完成技术研发,即将进入EUV商用化阶?段,引起业界关注后续发展。

                据韩媒Business Post报导,存储卡?工厂三星电子日前?表示即将在7纳米系统半?导体代工生产启用EUV技术,后续?也会将EUV技术延伸到DRAM生产。三星是目前唯一成功在系统半导体导入EUV制程的业者,将EUV技术用在DRAM领域将指日?可待。

                三星电子表示,准备从10纳米中段(1y)DRAM开始采用EUV技术,逐渐扩?大到10纳米以下制程,提高超高速、超大容量DRAM产品的技术竞争?力。

                SK海力士最近发表利?川新存储卡?工厂兴建计画,也松口会提高投资?规模,采用最新EUV技术进行生?产。韩国业界表?示,SK海力士持续进行EUV技术研发,待工厂完工时应?可顺利与新技术接轨。

                EUV技术生产DRAM在存?储器市场将相当具有竞争力,因为?产品不但能提高性能与电力效率,芯片体积也可?缩小,使每片晶圆可生产的芯片数量增加,有效节省生产成本。DRAM价格易受市场景气影响波动,对业?者而言?,降低生产?成本至关重要。

                目前为止DRAM业者的技术水平差距不?大,产品性能也未存在太大差?异?,使业者之间只能不断进行激烈的价格竞争。但若存储卡工厂三星电?子与SK海力士采用EUV技术生产DRAM,所提高的产?品水平将更易于满足客户需求。

                尤其?人工智能(AI)服务器与自驾车等新兴科技?领域对DRAM的质量要求提高,订单恐会涌向生产技术?领先的DRAM业者。相较于美光(Micron)对采用EUV技术态度较为消极,三星电子与SK海力士?积极以新技术欲维持领先。

                存储卡工厂三星电子表示,在?半导体生产采用EUV技术之后,将可让5G、AI、物联网(IoT)等领域的技术发展?速度加快,后续将会扩大EUV技术应用,提供客户更完善的?产品服务。

                韩国分?析师预测,2019年起半导?体业者将调整策略,减少DRAM方面的投资,有助市场景气维持良好?。亦即包括存储卡工厂三星电子、SK海力士在?内的DRAM业者会?放慢DRAM投资脚步。

                2018-10-23 09:53:30